富士通介绍碳纳米管布线技术进展

富士通和富士通研究所在“国际纳米技术综合展·技术会议（nanotech2007）”上，介绍了日本半导体协会正在开发的采用碳纳米管的布线技术。目标是32nm工艺以后的实用化。

碳纳米管与铜相比，可将电流密度提高2～3个数量级，有望用于微细LSI布线。此前，富士通和富士通研究所一直自主进行碳纳米管布线技术的研究，从2006年度开始，作为日本半导体MIRAI项目的一部分，加入半导体尖端技术（Selete）继续研究。研究人员除富士通外，还包括东芝、松下电器产业、爱发科（ULVAC）及早稻田大学。2006～2007年度的MIRAI第3期Phase1中，展示了使用碳纳米管过孔布线的优越性，2008～2010年度的Phase2，将开发基于300mm晶圆的试制工艺。

目前正在研究的碳纳米管布线将采用金属纳米微粒作为触媒，采用CVD法，使多层碳纳米管在硅底板的垂直方向上生长。这样，就可以把上下的铜布线层连接起来。目前已经通过高密度形成金属纳米微粒，使孔电阻降到了钨拴塞的电阻级别。另外，还开发出了采用旋涂玻璃法(SOG，spin-onglass)涂布新生长出来的碳纳米管，使底板表面平坦化的工艺技术。这样，提高了与硅工艺的融合性。此次的展会上，首次展出了实施平坦化工艺后的晶圆。

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